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Vamos con la innovación milagrosa de la semana. Un estudio conjunto de investigadores de Taiwán y la Universidad de Berkeley, California, han desarrollado un nuevo tipo de memoria basada en tecnología nanoscópica, que aseguran puede sobrepasar con mucha ventaja la velocidad de la memoria comercial del momento. Un informe sobre esta tecnología ha sido publicado en el magazine científico “Applied Physics Letters”, y detalla que este nuevo tipo de dispositivo utiliza una base de material sin conductividad eléctrica, integrando líneas horizontales de puntos de silicio aislados, cada uno de diámetro...

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